应用范围
Compound semiconductorMOSFET/lGBT Scientific ResearchRF-IC MEMS LED OPTICS
衬底材料
Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、SiC、LiTa03、Li3P04
晶圆尺寸（mm）
Max 200mm Compatible Square
应用领域
Compound semiconductorMOSFET/IGBT Scientific ResearchRF-IC MEMS LED OPTICS
胶厚均匀性（1-200CP）
片内≤±1%，片间≤±1%
胶厚均匀性（600-1500CP）
片内≤±2%，片间≤±2%
胶厚均匀性（1500-7000CP）
片内≤±3%，片间≤±3%