应用范围
化合物半导体、功率器件、MEMS、射频集成电路、LED，光学器件、科研项目
衬底材料
Si、Glass、Sapphire、GaN、GaAs、InP、SiC、LiTa03、Li3P04
应用领域
Compound semiconductorMOSFET/IGBT Scientific ResearchRF-IC MEMS LED OPTICS
胶厚均匀性（1-200CP）
片内≤±1%，片间≤±1%
胶厚均匀性（600-1500CP）
片内≤±2%，片间≤±2%
胶厚均匀性（1500-7000CP）
片内≤±3%，片间≤±3%