湿法刻蚀机

设备特点:
1、叠层式架构，空间利用率高，占地面积小，
2、分层式反应腔体设计，可以喷洒多种化学液 
3、化学液回收，循环过滤使用，降低用户成本
4、实时控制流量、温度、压力、浓度、喷洒方式，有效提高刻蚀均匀性
  • 产品参数
应用范围
化合物半导体、功率器件、MEMS、射频集成电路、先进封装
化学药液
H2O2、H2SO4、HF、HNO3、H3PO4、HCL
片盒数量
2CS&2LP
晶圆类型
圆片
配置
刻蚀
衬底材料
Si、SiC、Sapphire、GaN、GaAs、Glass
适用工艺
湿法刻蚀
晶圆尺寸（mm）
50-300
应用领域
Compound semiconductorAdvanced packagingRF-IC、MEMS、MOSFET/IGBT
产能
80WPH
可靠性
Uptime≥95% Breakage≤1/10000MTBF≥1000h MTTR≤4h
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